SiP係統級封裝錫膏焊料深圳福英達分享：集成的尺度和維度
SiP係統級封裝錫膏焊料深圳福英達分享：集成的尺度和維度
錫膏_焊錫膏_超微焊料_助焊膏生產(chan) 商-深圳福英達是一家集錫膏、錫膠及合金焊粉產(chan) 、銷、研與(yu) 服務於(yu) 一體(ti) 的綜合型錫膏供應商, 是工信部焊錫粉標準製定主導單位，產(chan) 品涵蓋超微無鉛印刷錫膏，超微無鉛點膠錫膏，超微無鉛噴印錫膏，超微無鉛針轉移錫膏，超微無鉛免洗焊錫膏，超微無鉛水洗錫膏，高溫焊錫膏，中高溫焊錫膏，低溫焊錫膏，7號錫膏、8號錫膏，低溫超微錫膠，中高溫錫膠，各向異性導電膠，金錫錫膏，金錫錫粉，多次回流錫膏，激光錫膏，微間距助焊膠，高溫無鉛錫膏，低溫錫鉍銀錫膏，低溫高可靠性錫膏，無鉛焊膏錫鉍銀錫膏/膠，SAC305錫膏，低溫高可靠性錫膏&錫膠，無銀&錫銅錫膏，超微焊粉，Low alpha無鉛焊料，Low alpha高鉛焊料，SMT粉，定製焊料。擁有從(cong) 合金焊粉到應用產(chan) 品的完整產(chan) 品線,可製造T2-T10全尺寸超微合金焊粉的電子級封裝材料。
導 讀
Integration
集成的尺度
尺度，一般理解為(wei) 尺寸、尺碼，計量的長度，規定的限度，可引申為(wei) 準則、法度。在本文中，尺度就指的是被描述對象的尺寸或大小。
按照從(cong) 小到大的順序來分析集成的尺度，我們(men) 就從(cong) 最小的基本粒子開始吧！
基本粒子
人類已知的世界由61種基本粒子（Elementary Particles）組成。
61種基本粒子被分為(wei) 了誇克 (quark)、輕子 (lepton)、玻色子 (boson)三大類。
其中，隻有電子(Electron)、光子(photon)與(yu) 中微子(neutrino)是穩定存在於(yu) 自然界且能作用於(yu) 宏觀世界的粒子。大名鼎鼎的誇克，被禁閉在質子與(yu) 中子這樣的複合粒子中，終生不得釋放。
電子 (輕子)：電子是人類認識最充分，應用最廣泛的基本粒子。今天，現代科技基本上都是圍繞著電子開展，如果沒有了電子，整個(ge) 世界都會(hui) 停滯。
光子 (玻色子)：光子應用比電子還早，從(cong) 遠古時代就開始應用，現代從(cong) 日常生活到最新的科學領域都離不開光子。
中微子 (輕子)：中微子很難探測，因此被稱作神秘粒子，雖然目前應用不多，卻被看作很有潛力的一種粒子。它速度極快，接近光速，並且可以無阻礙地穿越一切物體(ti) ，未來可應用於(yu) 中微子通訊，地層掃描等領域。
而那些不能獨立存在於(yu) 自然界的基本粒子，無法和宏觀世界直接打交道，因此無法實用，對人類的影響就遠遠小於(yu) 電子、光子和中微子了。
原子
我們(men) 將尺度放大到原子。
人類目前已知的118種元素中，來自自然界的元素有92種，其餘(yu) 的元素則是由人工合成的。代表元素的最小單位我們(men) 稱之為(wei) 原子，不同的原子構成了不同的物質。
原子的結構，原子由原子核和繞核運動的電子組成。原子核隻占原子體(ti) 積的幾千億(yi) 分之一，因此，原子的體(ti) 積是由核外電子決(jue) 定的。
電子有波粒二象性，它不像宏觀物體(ti) 的運動那樣有確定的軌道，無法預測它在某一時刻究竟出現在核外空間的哪個(ge) 地方，隻知道它在某處出現的幾率有多少，如同一片帶負電的雲(yun) 狀物籠罩在原子核周圍，因此被稱為(wei) “電子雲(yun) ”。
我們(men) 以半導體(ti) 中最常用的矽元素為(wei) 例，矽原子核外有14個(ge) 電子，其中第一層有2個(ge) 電子，第二層有8個(ge) 電子，最外層4個(ge) 電子為(wei) 價(jia) 電子。
矽晶體(ti) 中沒有明顯的自由電子，矽原子最外層的4個(ge) 電子，既不像導體(ti) 中那樣活躍，也不像絕緣體(ti) 那樣被緊緊束縛住，其活躍度介於(yu) 導體(ti) 與(yu) 絕緣體(ti) 之間，具有半導體(ti) 性質。矽能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加。
原子的尺度，原子沒有一個(ge) 精確定義(yi) 的最外層，通常所說的原子半徑是根據相鄰原子的平均核間距測定的。那麽(me) ，在矽晶體(ti) 中，矽原子之間的距離到底是多少呢？
構成晶體(ti) 的最基本的幾何單元稱為(wei) 晶胞(Unit Cell)，矽晶體(ti) 是一個(ge) 麵立方體(ti) ，其晶胞的邊長為(wei) 0.543nm，以矽原子晶胞的一個(ge) 麵作為(wei) 平麵，矽原子排列如下圖所示，矽原子在該平麵的最小間距為(wei) 0.384nm，三個(ge) 矽原子的排列寬度為(wei) 1.152nm。
那麽(me) ，一立方納米中有多少矽原子呢？
在由矽原子構成的一個(ge) 麵心立方體(ti) 的晶胞內(nei) ，8個(ge) 頂點和6個(ge) 麵各有一個(ge) 矽原子，另外還有4個(ge) 矽原子，分別位於(yu) 四個(ge) 空間對角線的 1／4處，平均到每一個(ge) 矽晶胞中的原子數為(wei) 8 （8 × 1/8 + 6 × 1/2 + 4 = 8）。
矽的晶胞邊長為(wei) a（晶格常數），在300K時，a=5.4305Å（0.543nm）。
8 ÷（0.543³）=49.97≈50，也就是說，1nm³ 中的矽原子數量為(wei) 50個(ge) ，通過矽材料的密度和矽原子質量進行計算，也會(hui) 得到同樣的結果。
為(wei) 了改善矽的導電性質，在其中摻入少量5價(jia) 元素，形成N型半導體(ti) ，或者摻入少量3價(jia) 元素，形成P型半導體(ti) 。
無論摻入何種元素，基本不會(hui) 改變矽的晶格結構，因此，原子之間的距離也不會(hui) 變化，1nm³ 中的原子數量也不會(hui) 變化，依然是50個(ge) 。
到了納米尺度，原子也是可以論個(ge) 來數的。
從(cong) 原子到功能細胞
什麽(me) 是功能細胞（Function Cell）？我們(men) 定義(yi) 其為(wei) 功能的最小單位，在集成電路中，晶體(ti) 管就可以被定義(yi) 為(wei) 功能細胞。當然，電阻、電容、電感、二極管等也是功能細胞。
功能細胞是由原子組成的，而功能的實現則是通過控製電子而實現的，也可以說，功能細胞的功能是由電子賦予的，能夠合理地控製電子，就具備了相應的功能。
功能的實現則來源於(yu) 現實的需求、人類的智慧和那些堪稱偉(wei) 大的發明或發現。
我們(men) 就以集成電路中最典型的功能細胞晶體(ti) 管為(wei) 例。
晶體(ti) 管之所以能成為(wei) 功能細胞，就在於(yu) 其能有效地控製電子。
下圖是目前主流的FinFET晶體(ti) 管，通過在柵極(Gate)施加合理的電壓，電子就能從(cong) 源極(Source)流向漏極(Drain)，從(cong) 而產(chan) 生電流並導通。
通過晶體(ti) 管的導通和關(guan) 斷，可以表示不同的狀態，多個(ge) 晶體(ti) 管組合在一起，就能形成不同的邏輯電路，從(cong) 而完成不同的功能。
隻要能執行相同的功能，功能細胞的體(ti) 積自然是越小越好。那功能細胞能小到什麽(me) 程度呢？
針對現有的矽基晶體(ti) 管而言，大致受兩(liang) 個(ge) 因素的製約，一個(ge) 是晶體(ti) 管內(nei) 最小的結構寬度，另一個(ge) 是晶體(ti) 管自身所占的麵積（體(ti) 積）。
從(cong) 上麵分析我們(men) 知道，三個(ge) 矽原子並排排列的寬度就超過了1nm，晶體(ti) 管的最小結構寬度可能達到甚至小於(yu) 1nm嗎？現在不好下論斷，這麽(me) 小的寬度除了工藝製作很難，按照現有理論工作的晶體(ti) 管也難以正常工作。
新型的晶體(ti) 管，例如單原子晶體(ti) 管，其最小結構寬度僅(jin) 為(wei) 一個(ge) 原子，通過操作單個(ge) 原子來控製晶體(ti) 管的導通和關(guan) 斷。
據稱，單原子晶體(ti) 管的能耗將隻有矽基晶體(ti) 管的萬(wan) 分之一（1/10000），這對未來應用是一個(ge) 決(jue) 定性的優(you) 勢。
從(cong) 功能細胞到常係統
功能細胞可以很小，現在的技術可以支持在指甲蓋大小的芯片上集成超過100億(yi) 以上的晶體(ti) 管。多個(ge) 功能細胞可以組成功能塊（Function Block），多個(ge) 功能塊又組成了功能單元（Function Unit），多個(ge) 功能單元組成了微係統（MicroSystem）。
然而，對於(yu) 人類來說，其產(chan) 品的尺度需要適合人類的需要，必定要和人類自身的尺度相當。
例如手機和電腦，前者需要經常拿在手中，因此需要和人手的尺度相當，後者需要放在桌麵或者膝蓋上，因此和人體(ti) 橫向的尺度相當。
這一類係統，我們(men) 稱之為(wei) 常係統（Common System），意為(wei) 常人可以接觸並經常使用的係統。常係統由微係統、功能單元組成，最終也是由功能細胞組成。
常係統由於(yu) 需要和人類的尺度相匹配，即使科技發展的再先進，其尺度也不會(hui) 變化太大，但為(wei) 了滿足人類更多的功能需求，其內(nei) 含的功能細胞會(hui) 不斷地增加，即係統的功能密度（Function Density）會(hui) 不斷增加。
並且，在人類文明發展的過程中，這種趨勢會(hui) 一直延續下去，這也符合功能密度定律（Function Density Law）的描述。
從(cong) 常係統到大係統
另外，還有一類係統，雖然也是為(wei) 人服務的，但並非為(wei) 個(ge) 人服務，而是為(wei) 群體(ti) 服務，因此其尺度可以很大，這類係統我們(men) 稱之為(wei) 大係統（Giant System）。例如載人航天係統，無線通訊網絡係統，GPS全球衛星定位係統等等。
大係統通常都很複雜，一般由很多的常係統、微係統或者功能單元組成。
例如GPS係統，分為(wei) 三大部分：空間部分，一共由24顆衛星組成；地麵部分，由主控製站，監測站，地麵天線組成；用戶設備部分，即各式各樣的GPS 信號接收機。
GPS係統可對地麵車輛、船隻、飛機、衛星和飛船等各種移動用戶進行實時的高精度定位測速和精確授時。
大係統和常係統一樣，為(wei) 了滿足更多的功能需求，其功能密度也會(hui) 不斷增加，並且這種趨勢會(hui) 隨著人類文明的發展一直延續下去，同樣也符合功能密度定律的描述。
集成的尺度總結
這裏，我們(men) 用兩(liang) 張圖對集成的尺度做個(ge) 總結。
我們(men) 將電子係統按照層次分為(wei) 6級，稱為(wei) 電子係統6級分類法（詳見一書(shu) ）。
其中，功能細胞是最小的功能單位，功能細胞→功能塊→功能單元，為(wei) 三級不同的功能單位，並由此組成了微係統→常係統→大係統，如下圖所示。
然後，我們(men) 對功能細胞進行解析，將功能細胞按照層次分為(wei) 4級：基本粒子組成了原子，原子形成晶胞，晶胞組成了功能細胞。
在本文中，從(cong) 基本粒子到人類目前可實現的最複雜係統，我們(men) 按照尺度將其分成了10（4+6）個(ge) 層次，其中，功能細胞是最為(wei) 關(guan) 鍵的環節，是功能的基本單位和載體(ti) ，就如同人類的細胞一樣，是人類生命的組成單位和智慧的載體(ti) 。
每一個(ge) 層次或環節，都需要不同的人去探索、去實現，去創新，去發展，並將人類的智慧融入其中。
錫銀銅SAC錫膏 錫銀銅 SACS錫膏 錫鉍銀SnBiAg錫膏 錫鉍銀銻SnBiAgSb錫膏 錫鉍銀SnBiAgX錫膏 錫鉍SnBi錫膏 BiX 錫膏 金錫AuSn錫膏 錫銻SnSb錫膏 含鉛 SnPb錫膏 各向異性導電錫膠 微間距助焊膠
Integration
集成的維度
人類可以感知的世界，空間維度隻有三個(ge) ，加上時間，常被稱為(wei) 四維時空。
弦理論裏描述的11維時空，無法證實其是否真實存在。即使存在，也如同那些被禁錮在微觀世界的基本粒子，在人類的宏觀世界根本無法感知，因此，對人類的活動幾乎沒有任何影響。
在我們(men) 通常的認識中，零維是點，一維是線，二維是平麵，三維是立體(ti) 。
集成，是將不同的單元匯聚到一起，並能實現其特定功能的過程，因此，零維的點，一維的線都不適應於(yu) 集成，現實中主要的集成方式就是兩(liang) 維的平麵集成和三維的立體(ti) 集成。
實際應用中，僅(jin) 僅(jin) 用兩(liang) 維和三維來對集成進行分類確實有些勉為(wei) 其難，例如有的人就用“假3D”，“真3D”來區分不同類型的芯片堆疊方式。
在本文中，我們(men) 將集成分為(wei) ：2D、2D+、2.5D、3D、4D，共五種集成維度，目的是為(wei) 了便於(yu) 集成的分類和區分，同時也兼容目前的主流說法。
此外，我們(men) 給出了兩(liang) 個(ge) 重要的判據，物理結構和電氣互連。
下麵描述的集成主要針對集成電路封裝領域，對於(yu) 其他領域也可以此類推。
2D集成
2D 集成是指在基板的表麵水平安裝所有芯片和無源器件的集成方式。
以基板 (Substrate) 上表麵的左下角為(wei) 原點，基板上表麵所處的平麵為(wei) XY平麵，基板法線為(wei) Z軸，創建坐標係。
物理結構：所有芯片和無源器件均安裝在基板平麵，芯片和無源器件和 XY 平麵直接接觸，基板上的布線和過孔均位於(yu) XY 平麵下方；電氣互連：均需要通過基板（除了極少數通過鍵合線直接連接的鍵合點）。
我們(men) 最常見的2D集成技術應用於(yu) MCM、部分SiP以及PCB。
MCM（Multi Chip Module）多芯片模塊是將多個(ge) 裸芯片高密度安裝在同一基板上構成一個(ge) 完整的部件。
在傳(chuan) 統的封裝領域，所有的封裝都是麵向芯片的，為(wei) 芯片服務，起到保護芯片、尺度放大和電氣連接的作用，是沒有任何集成的概念的。隨著MCM興(xing) 起，封裝中才有了集成的概念，所以封裝也發生了本質的變化，MCM將封裝的概念由芯片轉向模塊、部件或者係統。
2D集成的SiP，其工藝路線和MCM非常相似，和MCM主要的區別在於(yu) 2D集成的SiP規模比MCM大，並且能夠形成獨立的係統。
2D 集成示意圖
此外，基於(yu) FOWLP的集成，例如INFO，雖然沒有基板，也可以歸結為(wei) 2D集成。目前，集成電路中的晶體(ti) 管排列也基本上屬於(yu) 2D集成。
2D集成對EDA設計工具來說最為(wei) 簡單，下圖所示為(wei) EDA工具中實現的2D集成設計。
EDA工具中實現的2D集成設計
2D+集成
2D+集成是指的傳(chuan) 統的通過鍵合線連接的芯片堆疊集成。也許會(hui) 有人問，芯片堆疊不就是3D嗎，為(wei) 什麽(me) 要定義(yi) 為(wei) 2D+集成呢？
主要基於(yu) 以下兩(liang) 點原因：1）3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成，為(wei) 了避免概念混淆，我們(men) 定義(yi) 這種傳(chuan) 統的芯片堆疊為(wei) 2D+集成；2）雖然物理結構上是3D的，但其電氣互連上均需要通過基板，即先通過鍵合線鍵合到基板，然後在基板上進行電氣互連。這一點和2D集成相同，比2D集成改進的是結構上的堆疊，能夠節省封裝的空間，因此稱之為(wei) 2D+集成。
物理結構：所有芯片和無源器件均地位於(yu) XY平麵上方，部分芯片不直接接觸基板，基板上的布線和過孔均位於(yu) XY平麵下方；電氣互連：均需要通過基板（除了極少數通過鍵合線直接連接的鍵合點）。
下圖所示幾種集成均屬於(yu) 2D+集成。
2D+ 集成示意圖
此外，對於(yu) PoP (Package on Package) 類的集成方式，也可以根據其物理結構和電氣連接進行判定，將其歸結為(wei) 2D+集成。
EDA設計工具對2D+集成一直有很好的支持，下圖所示為(wei) EDA工具中實現的2D+集成設計。
EDA工具中實現的2D+集成設計
2.5D集成
2.5D顧名思義(yi) 是介於(yu) 2D和3D之間，通常是指既有2D的特點，又有部分3D的特點的一種維度，現實中並不存在2.5D這種維度。
物理結構：所有芯片和無源器件均XY平麵上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上（Interposer），在XY平麵的上方有中介層的布線和過孔，在XY平麵的下方有基板的布線和過孔。電氣互連：中介層（Interposer）可提供位於(yu) 中介層上的芯片的電氣連接。
2.5D集成的關(guan) 鍵在於(yu) 中介層Interposer，一般會(hui) 有幾種情況，1）中介層是否采用矽轉接板，2）中介層是否采用TSV，3）采用其他類型的材質的轉接板；在矽轉接板上，我們(men) 將穿越中介層的過孔稱之為(wei) TSV，對於(yu) 玻璃轉接板，我們(men) 稱之為(wei) TGV。
矽中介層有TSV的集成是最常見的一種2.5D集成技術，芯片通常通過MicroBump和中介層相連接，作為(wei) 中介層的矽基板采用Bump和基板相連，矽基板表麵通過RDL布線，TSV作為(wei) 矽基板上下表麵電氣連接的通道，這種2.5D集成適合芯片規模比較大，引腳密度高的情況，芯片一般以FlipChip形式安裝在矽基板上。
有TSV的2.5D集成示意圖
矽中介層無TSV的2.5D集成的結構一般如下圖所示，有一顆麵積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire或者Flip Chip兩(liang) 種方式，大芯片上方由於(yu) 麵積較大，可以安裝多個(ge) 較小的裸芯片，但小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層（Interposer），在中介層上方安裝多個(ge) 裸芯片，中介層上有RDL布線，可將芯片的信號引出到中介層的邊沿，然後通過Bond Wire連接到基板。這類中介層通常不需要TSV，隻需要通過Interposer上表麵的布線進行電氣互連，Interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。
無TSV的2.5D集成示意圖
現在，EDA設計工具對2.5D集成有了很好的支持，下圖所示為(wei) EDA工具中實現的2.5D集成設計。
EDA工具中實現的2.5D集成設計
3D集成
3D集成和2.5D集成的主要區別在於(yu) ：2.5D集成是在中介層Interposer上進行布線和打孔，而3D集成是直接在芯片上打孔（TSV）和布線（RDL），電氣連接上下層芯片。
物理結構：所有芯片和無源器件均位於(yu) XY平麵上方，芯片堆疊在一起，在XY平麵的上方有穿過芯片的TSV，在XY平麵的下方有基板的布線和過孔。電氣互連：通過TSV和RDL將芯片直接電氣連接。
3D集成大多數應用在同類芯片堆疊中，多個(ge) 相同的芯片垂直堆疊在一起，通過穿過芯片堆疊的TSV互連，如下圖所示。同類芯片集成大多應用在存儲(chu) 器集成中，例如DRAM Stack，FLASH Stack等。
同類芯片的3D集成示意圖
不同類芯片的3D集成中，一般是將兩(liang) 種不同的芯片垂直堆疊，並通過TSV電氣連接在一起，並和下方的基板互連，有時候需要在芯片表麵製作RDL來連接上下層的TSV。
不同類芯片的3D集成示意圖
此外，現在的3D Nand Flash是在芯片上直接製作多層存儲(chu) 單元，也是一種3D集成技術。
現在，EDA設計工具對3D集成有了很好的支持，下圖所示為(wei) EDA工具中實現的3D集成設計。
EDA工具中實現的3D集成設計
4D集成
前麵介紹了2D，2D+，2.5D，3D集成，4D集成又是如何定義(yi) 的呢？
在前麵介紹的幾種集成中，所有的芯片(Chip)，中介板（interposer）和基板（Substrate），在三維坐標係中，其Z軸均是豎直向上，即所有的基板和芯片都是平行安裝的。在4D集成中，這種情況則發生了改變。
當不同基板所處的XY平麵並不平行，即不同基板的Z軸方向有所偏移，我們(men) 則可定義(yi) 此類集成方式為(wei) 4D集成。物理結構：多塊基板以非平行方式安裝，每塊基板上都安裝有元器件，元器件安裝方式多樣化。電氣互連：基板之間通過柔性電路或者焊接連接，基板上芯片電氣連接多樣化。
基於(yu) 剛柔基板的4D集成示意圖
氣密性陶瓷4D集成示意圖
4D集成定義(yi) 主要是關(guan) 於(yu) 多塊基板的方位和相互連接方式，因此在4D集成每一塊基板中都可能會(hui) 包含有2D，2D+，2.5D，3D的集成方式。
通過4D集成技術可以解決(jue) 平行三維堆疊所無法解決(jue) 的問題，提供更多、更靈活的芯片安裝空間，解決(jue) 大功率芯片的散熱問題，以及航空航天等領域應用中關(guan) 注的氣密性問題。
現在，EDA設計工具對4D集成也有了很好的支持，如下圖所示為(wei) EDA工具中實現的4D集成設計。
EDA工具中實現的4D集成設計
4D集成技術提升了集成的靈活性和多樣化，展望未來，在多種集成維度中，4D集成也必定占有一席之地，並將成為(wei) 繼2D、2D+、2.5D、3D集成技術之後重要的集成技術。
從(cong) 嚴(yan) 格物理意義(yi) 上來說，以現有的人類認知出發，所有的物體(ti) 都是三維的， 二向箔並不存在，四維空間更待考證。
為(wei) 了便於(yu) 區分多種不同的集成方式，我們(men) 將其分為(wei) 2D、2D+、2.5D、3D，4D，5種集成維度。
集成的維度總結
這裏，我們(men) 用一張圖對集成的維度做個(ge) 總結，如下圖所示，包含5種集成維度的EDA設計圖例和每種維度具體(ti) 包含的集成類型。
後 記
來源：SiP與(yu) 先進封裝技術
深圳市福英達20年以來一直深耕於(yu) 微電子與(yu) 半導體(ti) 封裝材料行業(ye) 。致力於(yu) 為(wei) 業(ye) 界提供先進的焊接材料和技術、優(you) 質的個(ge) 性化解決(jue) 方案服務與(yu) 可靠的焊接材料產(chan) 品。提供包括LED微間距低溫封裝錫膏錫膠、LED微間距中溫高溫封裝錫膏錫膠、LED微間距低溫高強度錫膏錫膠、倒裝芯片封裝焊料、FPC柔性模塊封裝錫膏錫膠、植球/晶圓級植球助焊劑、凸點製作錫膏、PCBA錫膏錫膠、車用功率模塊封裝錫膏錫膠、車載娛樂(le) 封裝錫膏錫膠、車用LED封裝焊料、車載MEMS封裝焊料、軌道交通用IGBT封裝錫膏錫膠、基帶芯片係統級封裝錫膏錫膠、存儲(chu) 芯片高可靠封裝錫膏錫膠、射頻功率器件封裝錫膏錫膠、多次回流封裝錫膏錫膠、物聯網安全芯片封裝焊料、支付芯片係統級封裝焊料、物聯網身份識別封裝焊料、MEMS微機電係統封裝錫膏錫膠、射頻功率器件錫膏錫膠、芯片封裝錫膏錫膠、攝像頭模組封裝專(zhuan) 用錫膠、簡化封裝工藝免洗錫膏/錫膠、高可靠性水洗錫膏、低溫高強度錫膏/錫膠、便於(yu) 返修的米兰体育登录入口官网、高性價(jia) 比錫膏方案、高可靠高溫Au80Sn20焊料、高可靠Low alpha 高鉛封裝焊料、高可靠水洗焊料、醫療設備高可靠性封裝錫膏錫膠、醫療設備係統級封裝焊料、複雜結構激光焊接錫膏錫膠、精密結構低溫封裝焊料解決(jue) 方案。以及mLED新型顯示各向異性導電膠、mLED新型顯示微間距焊接助焊膠、mLED新型顯示高強度細間距錫膠、mLED新型顯示微間距低溫焊料、mLED新型顯示微間距SAC305錫膏、SMT低溫元器件貼裝錫膠、SMT低溫元器件貼裝錫膏、SMTSAC305係列錫膏、SMT微間距助焊膠、Low α無鉛焊料、SiP水洗錫膏、SiP無鉛無銀焊料、Low α高鉛焊料、MEMS水洗激光錫膏、MEMS低溫高可靠性錫膠、MEMS低溫高可靠錫膏、MEMS多次回流焊料、MEMSAu80Sn20金錫焊膏、功率器件高鉛焊料、功率器件水洗錫膏、功率器件無鉛錫膏、功率器件Au80Sn20金錫錫膏解決(jue) 方案。
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