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T8~T10超微焊粉助力微間距芯片封裝-深圳福英達

2023-11-20

ENIG Ni(P)鍍層焊接界麵P偏析產(chan) 生機理-深圳福英達

T8~T10超微焊粉助力微間距芯片封裝

焊錫粉是一種用於(yu) 電子工業(ye) 的連接材料,主要由Sn和其他金屬(如PbAgCu等)組成的合金粉末。焊錫粉可以用來製備錫膏,用於(yu) 表麵貼裝技術(SMT)中的電子元件焊接。焊錫粉的質量要求包括化學成分、形貌、粒度分布、氧含量等方麵。

焊錫粉根據粒徑可分為(wei) 常規焊錫粉(T6以下)和超微焊錫粉(T6-T10)。目前常規焊錫粉的主流製備方法有離心霧化法和超聲霧化法。然而,這兩(liang) 種方法在製備T6以上的超微焊錫粉時,都存在一些問題和局限性。

圖1.jpg

圖1.常規焊錫粉製備工藝

離心霧化法工藝成熟,其產(chan) 量大,獲得錫粉粒徑範圍廣,從(cong) Type3、Type4至Type5、Type6錫粉均有一定生產(chan) 比率。但當用於(yu) 製備T6以上超微粉時,會(hui) 麵臨(lin) 以下問題:
1. 尺寸難以控
製,粒度分散,無法精確分析,質量不穩定,影響應用性能;

2. 氧含量難以控製,進而影響焊料的潤濕性和可焊性;

3. 球形度差、合金粉末表麵破損,容易引起氧化、焊劑腐蝕,導致錫膏的流變性差、重現性差,可靠性差。 

超聲波霧化法製備的焊錫粉具有優(you) 良的品質,如球形度好、氧含量低等,是目前歐洲國家主流的製粉工藝。但當用於(yu) 製備T6以上超微粉時,有以下痛點:

1. 超聲霧化法的設備成本較高,且對原料錫錠的質量要求較高,製粉效率低,不適合大規模生產(chan) ;

2. T6以上的超微粉收獲率低,難以滿足T6以上焊錫粉的大量需求;

圖2.jpg

2.超聲霧化和常規離心霧化工藝製備的焊錫粉形貌(SEM


隨著微電子與(yu) 半導體(ti) 封裝技術的發展,芯片焊盤尺寸和間距也越來越小,焊盤的精度和密度不斷提高,焊接的難度和要求不斷增加。比如,現在手機,手表上最小的元器件是01005,0.35pitch,繼續往更微,更細,更密的方向發展,下一代產(chan) 品就是008004,即公製0201,03015隻是一個(ge) 過渡產(chan) 品。0.35pitch的焊盤隻有0.2mm,更有裸芯片的貼裝要求0.15pitch,bump焊盤隻有0.08mm。這些超微間距的芯片,給焊接帶來了巨大的挑戰。因此,除了滿足常規芯片尺寸的封裝要求,錫膏還須適用於(yu) 越來越多的微型化封裝場景。

為(wei) 了適應更微小間距的芯片封裝需求,深圳福英達推出了T8~T10超微焊粉。該焊粉采用了福英達專(zhuan) 利製粉技術——液相成型球形合金粉末製備技術,該技術運用了超聲波空化效應原理,可用於(yu) T6(5~15μm)以上超微焊粉製備,並已規模量產(chan) (每個(ge) 小時產(chan) 能達40kg,年產(chan) 能可達160t)。

運用液相成型技術製備的T8~T10超微焊粉產(chan) 品,具有以下優(you) 勢:

1. 多種型號尺寸超細焊粉量產(chan) , T7 (2-11μm), T8 (2-8μm), T9 (1-5μm) and T10 (1-3μm);

2. 合金焊粉粒徑可控,粒度分布高度集中;

3. 真圓度高達到100%,下錫更流暢,保證印刷和點膠性能的穩定性。

4. 焊粉表麵coating 技術,氧含量低,擁有優(you) 秀的可靠性;

5. 可製備多種合金型號、低溫 (熔點溫度139°C) & 中高溫 (219~245°C) 超微焊粉。

圖片3.png

圖3.福英達液相成型技術製備的超微焊粉形貌(SEM)


圖3.jpg

圖4.深圳福英達與(yu) 國際友商超微焊粉形貌對比


由此可見,福英達的T8~T10超微焊粉在粒徑、形貌、性能方麵,具有明顯的優(you) 勢,能夠滿足微間距芯片封裝的高要求。

福英達的T8~T10超微焊粉已廣泛應用在SMT、固晶、微凸點、窄間距、點膠、噴印、激光焊接等米兰体育登录入口官网中,隨著微電子與(yu) 半導體(ti) 封裝技術的發展,其應用領域也越來越廣泛,目前已在微光電顯示、汽車電子、物聯網、手機通訊等消費類電子、SiP係統級封裝等領域得到快速發展,獲得了業(ye) 內(nei) 用戶的一致好評,受到了全球SMT電子化學品製造商、微光電製造商和半導體(ti) 封裝測試商的普遍認可。

 

關(guan) 於(yu) 福英達

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