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IGBT熱傳導與焊料空洞的關係-深圳福英達

2023-02-25

深圳市福英達

IGBT熱傳(chuan) 導與(yu) 焊料空洞的關(guan) 係


IGBT作為(wei) 一種常用於(yu) 高溫應用環境(汽車,鐵路軌道,航空航天deng)的電子元件,需要經受得住長期高溫老化的影響。錫膏是用於(yu) 焊接IGBT的材料,同時也是IGBT模塊多層結構中最脆弱的部分之一,其焊後的連接性能直接影響芯片溫度和器件性能。焊料在回流時形成氣泡和老化後金屬間化合物生長都會(hui) 使得焊點出現空洞。空洞的出現會(hui) 影響熱傳(chuan) 導並影響IGBT芯片的溫度分布。


洞對熱傳(chuan) 導的影響

為(wei) 了了解空洞對IGBT的熱傳(chuan) 導的影響,Fan等人將IGBT芯片和二極管芯片封裝到了一起,並測試不同空洞區域的溫度。從(cong) 圖1可以看到, IGBT和二極管焊點之間出現空洞,會(hui) 導致中心外殼溫度分布出現明顯的變化。

 

空洞對IGBT和二極管外殼溫度分布的影響

圖1. 空洞對IGBT和二極管外殼溫度分布的影響。

 

空洞的分布位置會(hui) 對芯片溫度產(chan) 生影響。可以發現在處於(yu) 邊緣的基底焊料空洞對芯片結溫的影響幾乎可以忽視(區域a和c),但靠近IGBT和二極管的空洞(區域b和d)會(hui) 顯著影響結溫。區域b和d處的空洞使得IGBT和二極管的結溫分別增長了接近6°C。由此可知,在相同的空洞尺寸下,當空洞出現在芯片中心處,則芯片處結溫會(hui) 明顯增加。此外,空洞會(hui) 阻礙垂直熱流,導致殼體(ti) 溫度降低。


IGBT和二極管結溫分布。
IGBT和二極管結溫分布。

圖2. IGBT和二極管結溫分布。



空洞影響熱傳(chuan) 導的機理

空洞的出現增加了熱擴散角度,使得熱阻增大並減慢了熱傳(chuan) 導。當芯片下方出現了空洞,熱擴散角增加,使得傳(chuan) 熱麵積增大,並減小空洞下方的熱阻。空洞對自熱擴散和互耦都有影響。如果二極管的芯片麵積比IGBT小,則二極管與(yu) IGBT的耦合熱阻比IGBT與(yu) 二極管的耦合熱阻更容易受到空洞影響。此外,焊料空洞對芯片結溫和外殼溫度的影響是不斷累積的,如果外殼溫度在多個(ge) 點處變化,則耦合溫度更易升高,這將更容易導致IGBT模塊故障。

熱擴散角和空洞的關(guan) 係

圖3. 熱擴散角和空洞的關(guan) 係。



低空洞焊料

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參考文獻

Fan, Y.H., Cui, H.Y., Lou, Z.B., Teng, J.J., Tang, Z. & Peng, J.Z. (2020). Base solder voids identification of IGBT modules using case temperature. Microelectronics Reliability, vol.115.





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