抗銀遷移無鉛無銀錫膏深圳福英達分享：半導體中的銀遷移現象
抗銀遷移無鉛無銀錫膏深圳福英達分享：半導體(ti) 中的銀遷移現象
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今天，讓我們(men) 來談談半導體(ti) 設備中的一種現象—銀遷移（SilverMigration）對可靠性（由於(yu) 銀塗層、銀焊接和金屬銀作為(wei) 電極，絕緣電阻會(hui) 降低，最終形成短路，導致故障）的影響。當然，這種金屬遷移不僅(jin) 發生在銀上，還發生在其他金屬元素（鉛、銅、錫、金等）上；不僅(jin) 是半導體(ti) 設備，還有其他涉及金屬元素易於(yu) 遷移的地方。
銀因其優(you) 異的導電性、傳(chuan) 熱性、可焊性和低接觸電阻而被廣泛應用於(yu) 電氣連接和電子產(chan) 品中。然而，它也是所有可遷移金屬中遷移率最高的金屬（銅的1000倍），因此它經常受到關(guan) 注，因此被稱為(wei) 銀遷移。
1950年，首次發現銀遷移以兩(liang) 根銀棒為(wei) 電極，使其相距12.5mm，將濾紙夾在兩(liang) 者之間，加上45V電壓，保持相對濕度98%，持續36h，這是當時的實驗條件。最終結果表明，銀從(cong) 陰極向陽極生長，形成枝狀結晶，氧化銀(Ag2o)膠體(ti) 從(cong) 陽極向陰極擴散。
銀遷移的定義(yi) :在適當的條件下，銀從(cong) 初始位置移動到極端區域再沉積。
銀遷移可分為(wei) 離子遷移和電子遷移兩(liang) 類，
以下是陰離子遷移的過程：
①金屬銀由於(yu) 電位差和從(cong) 環境中吸附的電解質(大多數情況下是水)而電離。
Ag→Ag+, H2O→H++OH-
②AgOH分解形成Ag2O，在陽極形成Ag2O，呈膠體(ti) 狀分散。
2AgOH→Ag2O+H2O。
③Ag+和OH-在陽極生成AgOH沉澱。
Ag++OH-→AgOH。
④產(chan) 生的Ag2o與(yu) 水反應，形成陰離子向陰極移動並沉澱，呈樹枝狀。
Ag2O+H2O <-> 2AgoH<->2Ag++OH-
根據上述過程，我們(men) 可以知道陰離子遷移的必要條件是：電解質（通常是水）、電勢差和遷移路徑。
我們(men) 可以根據必要條件采取一些保護措施：
①盡量采取氣密性、密封前烘烤等措施，避免引入電解液；
②合理布線，保證足夠的間距，合理控製點膠、貼片、焊接等操作，減少電勢差；
③在表麵塗上聚合物薄膜層，以阻斷銀遷移路徑。
來源：功率半導體(ti) 那些事兒(er) 深圳福英達 整理
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