先進半導體封裝錫膏焊料深圳福英達分享：從ASML年報看半導體產業的未來
先進半導體(ti) 封裝錫膏焊料深圳福英達分享：從(cong) ASML年報看半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的未來
錫膏_焊錫膏_超微焊料_助焊膏生產(chan) 商-深圳福英達是一家集錫膏、錫膠及合金焊粉產(chan) 、銷、研與(yu) 服務於(yu) 一體(ti) 的綜合型錫膏供應商, 是工信部焊錫粉標準製定主導單位，產(chan) 品涵蓋超微無鉛印刷錫膏，超微無鉛點膠錫膏，超微無鉛噴印錫膏，超微無鉛針轉移錫膏，超微無鉛免洗焊錫膏，超微無鉛水洗錫膏，高溫焊錫膏，中高溫焊錫膏，低溫焊錫膏，7號錫膏、8號錫膏，低溫超微錫膠，中高溫錫膠，各向異性導電膠，金錫錫膏，金錫錫粉，多次回流錫膏，激光錫膏，微間距助焊膠，高溫無鉛錫膏，低溫錫鉍銀錫膏，低溫高可靠性錫膏，無鉛焊膏錫鉍銀錫膏/膠，SAC305錫膏，低溫高可靠性錫膏&錫膠，無銀&錫銅錫膏，超微焊粉，Low alpha無鉛焊料，Low alpha高鉛焊料，SMT粉，定製焊料。擁有從(cong) 合金焊粉到應用產(chan) 品的完整產(chan) 品線,可製造T2-T10全尺寸超微合金焊粉的電子級封裝材料。
導 讀
在過去的40年裏，我們(men) 逐漸從(cong) 個(ge) 人電腦和移動設備時代發展到雲(yun) 時代。我們(men) 生活的幾乎所有方麵都在網上存儲(chu) 和管理。ASMLCTOMartinvandenbrink表示，未來數字化的下一步將是由通信、計算和人工智能無縫集成驅動的分布式智能。所有這些趨勢都需要更高的計算能力，這反過來又加速了對更強大、更節能的微芯片的需求。
隨著芯片技術的不斷發展，芯片製造變得越來越複雜。基於(yu) logicn5節點（5nm），最先進的處理器包含數十億(yi) 晶體(ti) 管。下一代芯片設計將包括更先進的材料、新的包裝技術和更複雜的3D設計。
光刻技術是製造性能更強、芯片更便宜的驅動力。ASML的目標一直是減少芯片工藝的臨(lin) 界尺寸。其整體(ti) 光刻產(chan) 品組合(EUV、ARFi、ARF、KRF、i-line係統等。)有助於(yu) 優(you) 化生產(chan) ，並通過集成光刻係統和match計算建模、測量和測試解決(jue) 方案，幫助優(you) 化生產(chan) ，降低成本。
半導體(ti) 製造工藝(圖源:ASML)
光刻係統的分辨率是光刻收縮的主要驅動因素之一，主要由光波長和光學係統的數值孔徑決(jue) 定。更短的波長就像一個(ge) 更薄的刷子，可以打印出更小的特性。更大的數值孔可以更緊密地聚焦光線，並帶來更好的分辨率。
ASML光刻係統的發展一直是通過減少波長和增加值孔徑來發展的。多年來，ASML從(cong) 365nm(i-line)、248nm(KRF)到193nm(ARF)做了幾個(ge) 波長步長，而EUV光刻機的波長隻有13.5nm。
NA是光學係統的數值孔徑，表示光的入射角。使用更大的NA鏡頭可以打印出更小的結構。除了更大的鏡頭，ASML還通過在最後一個(ge) 鏡頭元件和晶圓之間保持一層水膜來增加ARF係統的NA(即所謂的浸泡係統)。波長進入EUV後，ASML正在開發下一代EUV係統，稱為(wei) EUV0.55NA(HighNA)，將數值孔徑從(cong) 0.33提高到0.55。
TWINSCANXE:3600D是ASML最新一代EUV0.33NA光刻係統。與(yu) 前身TWINSCANXE:3400C相比，它可以提供15%到20%的生產(chan) 力和約30%的覆蓋率，支持EUV批量生產(chan) 5nm和3nm邏輯節點和領先的DRAM節點。
年度報告指出，EUV產(chan) 品路線圖將有助於(yu) ASML在未來10年實現設備價(jia) 格的合理擴張。ASMLEUV0.33NA平台擴展了客戶邏輯和DRAM路線圖。使用EUV製造芯片於(yu) 降低40%的關(guan) 鍵光刻模量和30%的工藝步驟，顯著降低成本和周期時間。
數據顯示，自EUV推出以來，到2021年底，ASMLEUV光刻機生產(chan) 了5900多萬(wan) 晶圓，到2020年底為(wei) 2600萬(wan) 晶圓。由此可見，EUV光刻機目前正處於(yu) 快速啟動階段。ASML預計EUV的使用將繼續增長。到2024年，所有先進的節點芯片製造商預計將在生產(chan) 中使用EUV。
下一代EUV0.55NA平台將繼續為(wei) 未來節點實現有效的經濟擴張。新值孔徑的新型光學設計有望將芯片尺寸降低1.7倍，進一步提高分辨率，將微芯片密度提高近3倍。預計第一個(ge) EUV0.55NA平台的早期訪問係統將於(yu) 2023年投入使用。預計客戶將於(yu) 2024-2025年開始研發，2025-2026年進入大規模生產(chan) 。
光刻係統本質上是一種投影係統，將光投射到即將打印的圖案上（稱為(wei) 蒙版或掩模）。通過在光中編碼圖案，係統的光學係統收縮並將圖案集中在光敏矽片上。圖案打印後，係統輕輕移動晶圓，並在晶圓上製作另一份副本。
這個(ge) 過程重複，直到晶圓被圖案覆蓋，晶圓一層完成。為(wei) 了製造一個(ge) 完整的芯片，這個(ge) 過程應該一層一層地重複，疊加圖案，形成一個(ge) 集成電路（IC）。目前，最簡單的芯片約為(wei) 40層，複雜的芯片超過150層。
目前，DUV光刻係統仍是該行業(ye) 的主要力量。DUV係統支持許多細分市場，負責在今天的客戶設備中打印大部分層，並將在未來的設備中保持重要地位。
目前半導體(ti) 行業(ye) 使用的DUV分為(wei) 浸沒式和幹式光刻解決(jue) 方案。i-line波長365nm，KRF波長248nm，ARF波長193nm，有助於(yu) 製造廣泛的半導體(ti) 節點和技術，支持行業(ye) 成本和節能擴張。
ASMLDUV浸沒式和幹式係統在生產(chan) 率、成像和覆蓋性能方麵處於(yu) 領先地位。它可以結合EUV技術生產(chan) 最先進的邏輯和內(nei) 存芯片，並繼續為(wei) 成熟的節點和小型應用程序提供價(jia) 值。
ARF浸沒式光刻在鏡頭和晶圓之間保持一層水膜，增加NA，提高分辨率，支持進一步收縮。ASML浸沒係統適用於(yu) 單曝光和多圖案光刻，可與(yu) EUV係統無縫結合，打印同一芯片。TWINSCANXT：2050i是ASML最先進的浸沒係統，目前正在大規模生產(chan) 5nm邏輯和第四代10nmDRAM節點。
然而，並不是芯片上的每一層都需要最新和最大的浸入式光刻係統。先進或複雜的層可以用先進的光刻係統打印，但其他層通常可以用幹光刻係統等舊技術打印。ASML幹係統產(chan) 品組合為(wei) 客戶提供了各種波長更經濟的解決(jue) 方案。
TWINSCANXT:1470是ASML最新的幹式ARF光刻係統，每小時提供300片晶圓的記錄生產(chan) 力，具有4nm覆蓋能力；TWINSCANXT:86ON是新一代KRF係統，分辨率為(wei) 0.80NA，支持大容量200mm和300mm晶圓的生產(chan) ，分辨率低於(yu) 110nm。0.93NATWINSCANXT:1060K是最先進的KRF光刻係統。
ASMLCEOPeterwerwenink表示，我們(men) 今天看到的行業(ye) 市場增長不僅(jin) 存在於(yu) 最先進的節點，還需要成熟的光刻技術來製造許多分布式計算和存儲(chu) 解決(jue) 方案。預計到2025年，ASML係統總銷量的三分之二將是EUV，其餘(yu) 將是DUV和測量檢測係統。這一預期低於(yu) 我們(men) 2018年的預期，但這並不意味著EUV市場萎縮，但DUV和測量檢測市場的增長期。
未來半導體的動力是什麽？
半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的格局是什麽(me) ？促進當前和未來產(chan) 業(ye) 發展的主要趨勢是什麽(me) ？
ASML認為(wei) ，消費者需求、全球人才競爭(zheng) 、地緣政治因素、擴大研發投資、不斷變化的外部環境和氣候變化正在重塑半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 模式。
消費者需求的不斷增長：無線通信、電信、媒體(ti) 和雲(yun) 繼續促進全球對先進半導體(ti) 的需求，人口和城市化的增長正在增加對先進消費電子設備的需求。芯片作為(wei) 這些設備的核心，新興(xing) 技術的不斷發展和需求正成為(wei) 芯片增長的重要驅動力。
全球人才競爭(zheng) ：具有技術背景的高技能人才在勞動力市場上非常稀缺，競爭(zheng) 也在加劇。工業(ye) 公司正試圖增加人力，但高科技人才資源池非常淺。該行業(ye) 正在爭(zheng) 奪少數具有開發和創新解決(jue) 方案技能的科學家、工程師和軟件開發人員。全球人才競爭(zheng) 正變得越來越關(guan) 鍵。STEM職位的數量預計將顯著增加，但由於(yu) 缺乏合格候選人，填補這些職位是非常具有挑戰性的。留住人才已成為(wei) 科技公司的關(guan) 鍵。
全球地緣政治:當前的貿易環境給全球半導體(ti) 行業(ye) 帶來了巨大的挑戰，貿易緊張和保護主義(yi) 的加劇可能會(hui) 繼續。全球疫情提醒世界各國政府，全球供應鏈可能對服務、原材料和最終產(chan) 品有重大地理依賴。
半導體(ti) 在大型工業(ye) 聯合體(ti) 的增長和連續性中發揮著越來越重要的作用。政府已將注意力轉向半導體(ti) 供應鏈，以確保足夠的供應，並計劃大規模投資於(yu) 半導體(ti) 行業(ye) 。根據外部數據，美國、中國、歐盟、日本和韓國預計將在2021年增加近一倍的年資本支出，達到1500億(yi) 美元。除了財務影響外，貿易緊張和保護主義(yi) 也給整個(ge) 供應鏈及其過程帶來了極大的複雜性，迫使該行業(ye) 重新審視其全球供應鏈。
擴大研發投資：芯片設計和製造技術是半導體(ti) 行業(ye) 快速發展的競爭(zheng) 基礎。芯片製造商麵臨(lin) 著越來越複雜的支持應用程序和終端市場。與(yu) 此同時，隨著科技平台公司逐漸轉向內(nei) 部芯片設計，傳(chuan) 統的半導體(ti) 公司麵臨(lin) 著多元化投資組合的挑戰。
此外，創新的增量成本正在上升，需要更高水平的研發投資來實現同樣的目標。讓產(chan) 品更快地進入市場至關(guan) 重要，否則芯片製造商將麵臨(lin) 錯過機會(hui) 的風險。因此，盡快為(wei) 客戶提供解決(jue) 方案的壓力正在增加。
不斷變化的環境：為(wei) 了利用人工智能、物聯網、5g和自動駕駛汽車的整合，該行業(ye) 正在投資大量能夠釋放整個(ge) 投資組合價(jia) 值的資產(chan) 。
近年來，全球半導體(ti) 行業(ye) 呈現出巨大的增長趨勢，預計將繼續下去。該行業(ye) 專(zhuan) 注於(yu) 技術和市場，以提高其核心競爭(zheng) 力。收購和合資企業(ye) 預計將成為(wei) 芯片市場戰略的關(guan) 鍵組成部分。
采取行動應對氣候變化：氣候變化是世界各地的一個(ge) 緊迫問題。這是一個(ge) 全球性的挑戰，半導體(ti) 製造過程消耗了大量的能源和水資源。隨著摩爾定律的發展，芯片計算能力和存儲(chu) 容量的提高將增加對這些資源的需求。為(wei) 了提高能源和水資源的利用效率，需要新的設備和新的方法來看待整個(ge) 生態係統。為(wei) 了應對這些挑戰，半導體(ti) 行業(ye) 必須降低功耗。
在這方麵，ASML提到，由於(yu) DUV和EUV平台的通用性、創新性、生產(chan) 和維護速度和成本效益。ASML正在投資產(chan) 品的能源效率，以幫助降低晶圓生產(chan) 所需的能源。此外，ASML還有一個(ge) 路線圖，致力於(yu) 減少浪費，並與(yu) 客戶和供應商合作，在其價(jia) 值鏈中盡可能多地重複使用零件、工具和包裝，以防止不必要的浪費。
此外，從(cong) ASML對整個(ge) 行業(ye) 當前市場規模和市場機遇的展望來看，不同細分應用市場的驅動因素也在塑造半導體(ti) 行業(ye) 的模式，成為(wei) 當前和未來促進行業(ye) 發展的主要趨勢。
錫銀銅SAC錫膏 錫銀銅 SACS錫膏 錫鉍銀SnBiAg錫膏 錫鉍銀銻SnBiAgSb錫膏 錫鉍銀SnBiAgX錫膏 錫鉍SnBi錫膏 BiX 錫膏 金錫AuSn錫膏 錫銻SnSb錫膏 含鉛 SnPb錫膏 各向異性導電錫膠 微間距助焊膠
在ASML業(ye) 績增長的背後。
由於(yu) 全球芯片短缺、數字基礎設施加速和技術主權推動，市場對先進成熟節點的需求強勁增長。2021年，ASML淨銷售額創下186億(yi) 歐元紀錄，比去年增長46億(yi) 歐元。
ASMLCFOrogerdassen表示，由於(yu) 客戶對先進成熟節點的強勁需求，2021年邏輯係統銷量增長22億(yi) 歐元，增長30%；由於(yu) 終端市場對服務器和智能手機的強勁需求，內(nei) 存係統的銷量增長了11億(yi) 歐元和39%。
淨銷售額的增長是由ASML對所有技術的強勁需求驅動的。2021年，ASML成功發貨42套EUV係統，其中第一款NXE:3600D用於(yu) 大規模生產(chan) 。這使得2021年EUV係統收入達到63億(yi) 歐元，比2020年增加了18億(yi) 歐元。
DUV係統的銷量也從(cong) 2020年的227增加到2021年的267。除了EUV和DUV的增長，服務和現場選擇的銷售也是ASML整體(ti) 淨銷售增長的關(guan) 鍵驅動力。這種增長是由生產(chan) 率、覆蓋率和升級包銷售增長驅動的，為(wei) 晶圓產(chan) 量的快速增長提供了最有效、最有效的方式，並得到了安裝基礎不斷增長的支持。
為(wei) 了滿足客戶對額外晶圓生產(chan) 能力的需求，ASML加快了生產(chan) 能力升級的交付，甚至在正常工廠驗收測試(FAT)完成前交付，加快了係統的交付。
不難看出，數字化轉型和當前芯片短缺進一步促進了ASML提高生產(chan) 能力的需求。一方麵，在數字轉換和分布式計算的驅動下，先進和成熟節點的邏輯需求繼續強勁；另一方麵，由於(yu) 服務器和智能手機終端的市場需求，內(nei) 存需求繼續增長。為(wei) 了滿足DRAM和NAND的強勁需求增長，客戶將提高生產(chan) 能力，並繼續遷移節點。隨著客戶轉移到更先進的節點，ASML預計EUV對內(nei) 存的需求將繼續增加。
2019-2021年，ASML來自邏輯和內(nei) 存市場，安裝基本收入數據(單位:百萬(wan) 歐元)
在R&D投資方麵，2021年ASML的R&D成本為(wei) 25.47億(yi) 歐元。與(yu) 2020年22.08億(yi) 歐元的投資相比，這些增加的投資涉及到EUV、DUV和應用項目的整體(ti) 光刻解決(jue) 方案，其中最重要的投資是繼續加強EUV的大規模生產(chan) 和EUV0.55NA的發展。
ASMLR&D投資2020-2021年(單位:百萬(wan) 歐元)
ASML預計，由於(yu) 健康的邏輯需求和內(nei) 存市場的增長，預計2022年淨銷售額將比2021年增長約20%。預期增長是由各平台銷售增長和基本安裝業(ye) 務增長驅動的:
邏輯芯片部分：不斷擴大的應用空間和長期增長動力已轉化為(wei) 對先進和成熟節點的強勁需求。隨著需求的持續強勁，邏輯係統的收入預計將同比增長20%以上；
內(nei) 存：隨著係統利用率的提高和客戶技術的轉型，支持預期增長。預計還需要額外的生產(chan) 能力。因此，2022年內(nei) 存市場對光刻設備的需求強勁，係統收入同比增長約25%；
EUV設備:隨著客戶對EUV使用和信心的增加，預計2022年將發貨約55個(ge) EUV係統(其中6個(ge) 係統的收入將推遲到2023年確認)，預計2022年EUV係統的收入將增加25%。
非EUV係統：在DUV和應用業(ye) 務中，ASML預計浸沒式和幹式係統將增加，對測量和檢測係統的需求將繼續增加。預計非EUV運輸收入將增加20%以上。
展望2025年至2030年，近十年將圍繞分布式計算，使雲(yun) 更接近邊緣設備。通過連接，計算能力將為(wei) 每個(ge) 人提供設備計算能力，從(cong) 而連接世界。在高利潤、高創新的生態係統的支持下，全球電子產(chan) 業(ye) 的總體(ti) 趨勢預計將繼續推動整個(ge) 半導體(ti) 市場的增長。
這意味著先進節點和成熟節點對晶圓的需求正在增加，從(cong) 而增加了對光刻設備的需求。ASML認為(wei) ，預計2025年年銷售額將達到240億(yi) -300億(yi) 歐元，毛利率在54%-56%之間。
ASML市場預期(圖源:ASML)
ASML侵權"羅生門"
ASML年度報告提到，我們(men) 可能會(hui) 受到惡意攻擊，包括第三方或我們(men) 自己的員工竊取公司的商業(ye) 秘密、專(zhuan) 有客戶數據、知識產(chan) 權或其他秘密信息。雖然我們(men) 試圖保護知識產(chan) 權，但未經授權的第三方也可以獲得、複製、使用或披露我們(men) 的專(zhuan) 有技術、產(chan) 品、設計、技術和其他知識產(chan) 權。2021年，我們(men) 了解到，與(yu) XTAL相關(guan) 的東(dong) 方晶源正在積極營銷可能侵犯ASML知識產(chan) 權的產(chan) 品。
近日，東(dong) 方晶源發表聲明稱，東(dong) 方晶源自成立以來一直遵守中國法律法規，合法合規經營。東(dong) 方晶源秉承獨立研發、自主創新的理念，尊重和保護知識產(chan) 權，形成了獨立完善的知識產(chan) 權體(ti) 係。雖然東(dong) 方晶源的聲明沒有提到ASML，但它顯然意味著回應和反駁。
根據公開信息，XTAL成立於(yu) 2014年，由前ASML員工創立。2016年，ASML起訴XTAL。2018年，加州聖克拉拉聯邦法院初步裁定XTAL盜竊知識產(chan) 權罪。2019年，法院發布最終判決(jue) ，ASML獲勝。
2019年，荷蘭(lan) 金融報Finacieledagblad報道稱，中國員工從(cong) ASML竊取了公司秘密，造成了數億(yi) 美元的損失。據報道，ASML美國子公司研發部的高級中國員工竊取了技術，最終泄露給中國公司。
然而，ASML可能不想擴大事件。2019年，ASML在其官方網站上發表官方聲明：ASML不同意中國間諜。
據了解，2021年，東(dong) 方晶源公司完成了28nm邏輯芯片關(guan) 鍵工藝層良率矽片的優(you) 秀驗證，不斷突破技術壁壘。14nm計算光刻技術準備就緒，第一套EBI產(chan) 業(ye) 化成果顯著；2021年，公司實現了銷量快速增長1億(yi) 元以上的小目標，聯係了近60位客戶，包括存儲(chu) 、邏輯、第三代半導體(ti) 等領先客戶。
然而，根據產(chan) 品的性能水平，東(dong) 方晶源的產(chan) 品實際上遠遠不能威脅ASML。然而，ASML在2021年年度報告中也提到了這一點，稱東(dong) 方晶源可能與(yu) 2018年因竊取秘密而被判賠償(chang) 的XTAL有關(guan) ，並提醒其特定客戶不要協助或縱容東(dong) 方晶源從(cong) 事潛在侵權，並對中國相關(guan) 機構表示擔憂。
ASML表示，它正在密切關(guan) 注這個(ge) 問題，並準備在適當的時候采取法律行動，但沒有提供更多的證據。財務報告中很少出現這種說法。不可避免地發人深省.
來源：半導體(ti) 行業(ye) 觀察 深圳福英達整理
深圳市福英達20年以來一直深耕於(yu) 微電子與(yu) 半導體(ti) 封裝材料行業(ye) 。致力於(yu) 為(wei) 業(ye) 界提供先進的焊接材料和技術、優(you) 質的個(ge) 性化解決(jue) 方案服務與(yu) 可靠的焊接材料產(chan) 品。提供包括LED微間距低溫封裝錫膏錫膠、LED微間距中溫高溫封裝錫膏錫膠、LED微間距低溫高強度錫膏錫膠、倒裝芯片封裝焊料、FPC柔性模塊封裝錫膏錫膠、植球/晶圓級植球助焊劑、凸點製作錫膏、PCBA錫膏錫膠、車用功率模塊封裝錫膏錫膠、車載娛樂(le) 封裝錫膏錫膠、車用LED封裝焊料、車載MEMS封裝焊料、車載攝像頭封裝焊料、軌道交通用IGBT封裝錫膏錫膠、基帶芯片係統級封裝錫膏錫膠、存儲(chu) 芯片高可靠封裝錫膏錫膠、射頻功率器件封裝錫膏錫膠、多次回流封裝錫膏錫膠、物聯網安全芯片封裝焊料、支付芯片係統級封裝焊料、物聯網身份識別封裝焊料、MEMS微機電係統封裝錫膏錫膠、射頻功率器件錫膏錫膠、芯片封裝錫膏錫膠、攝像頭模組封裝專(zhuan) 用錫膠、簡化封裝工藝免洗錫膏/錫膠、高可靠性水洗錫膏、低溫高強度錫膏/錫膠、便於(yu) 返修的米兰体育登录入口官网、高性價(jia) 比錫膏方案、高可靠高溫Au80Sn20焊料、高可靠Low alpha 高鉛封裝焊料、高可靠水洗焊料、醫療設備高可靠性封裝錫膏錫膠、醫療設備係統級封裝焊料、複雜結構激光焊接錫膏錫膠、精密結構低溫封裝焊料解決(jue) 方案。以及mLED新型顯示各向異性導電膠、mLED新型顯示微間距焊接助焊膠、mLED新型顯示高強度細間距錫膠、mLED新型顯示微間距低溫焊料、mLED新型顯示微間距SAC305錫膏、SMT低溫元器件貼裝錫膠、SMT低溫元器件貼裝錫膏、SMTSAC305係列錫膏、SMT微間距助焊膠、Low α無鉛焊料、SiP水洗錫膏、SiP無鉛無銀焊料、Low α高鉛焊料、MEMS水洗激光錫膏、MEMS低溫高可靠性錫膠、MEMS低溫高可靠錫膏、MEMS多次回流焊料、MEMSAu80Sn20金錫焊膏、功率器件高鉛焊料、功率器件水洗錫膏、功率器件無鉛錫膏、功率器件Au80Sn20金錫錫膏解決(jue) 方案。
返回列表
